요약
- 예시 바 슬롯 나라 (2017-2019) 연구원
- 리버 사이드 캘리포니아 슬롯 나라 (University of California)의 연구 과학자 및 박사후 연구원 (2011-2017)
- 박사후 연구원, National High Magnetic Field Laboratory (2008-2011)
연구 관심사
우리의 연구 목표는 새로운 기능적 양자 재료에 존재하는 토폴로지 및 상관 관계 상태를 이해하기 위해 이론과 모델을 개발하는 것입니다. 단일 전자 장치는 변동 및 장애에 민감하지만 전자 수집으로 구성된 토폴로지 및 전통적으로 정렬 된 상태는 이러한 효과가 더 강력합니다. 이들 토폴로지 상태는 실제 또는 운동량 공간에서 구체 또는 토리와 같은 소형 표면에 정의 된 전자 파동 수립의 감기 수를 특징으로한다. 그들은 응용 프로그램에 대한 엄청난 약속을 가지고 있습니다. 토폴로지 상태를 호스팅하는 양자 재료는 동시에 단열되고 금속성 일 수 있습니다. 이 시스템에서, 전자 분산은 대량으로 갈라 지지만, 샘플 가장자리에는 간격이없는 흥분이 존재한다. 이러한 토폴로지 여기의 일부 예는 체른 절연체, 토폴로지 초전도체의 비 방사성 준 입자에서 1 차원 소산이없는 모서리 모드 및 양자 자석의 스카이 미온과 같은 사소한 스핀 텍스처에서 1 차원 소산이없는 에지 모드입니다. 이들 상태는 최근 발견 된 토폴로지 절연체, 2D 결정, 페로 마그넷 및 초전도체와 같은 새로운 기능성 재료의 장치 이종 구조로 설계 될 수있다. 이러한 양자 재료는 저전력 전자 장치, 결함 내성 양자 계산 및 양자 메모리 장치로 활용 될 수 있습니다.
우리의 목표는 양자 재료의 적용된 및 기본 측면을 모두 조사하는 것입니다. 분명히, 토폴로지 및 상관 관계 상태에 대한 근본적인 이해가 중요합니다. 우리의 연구의 기본 측면은 슬롯 나라을 이해하고 토폴로지 상태를 호스팅하는 새로운 이종 구조를 찾기 위해 분석 및 수치 모델을 개발하는 데 중점을 둡니다. 적용된 측면에서는 메트릭, 장치 아키텍처를 파악하고 향후 애플리케이션을위한 벤치 마크를 설정하는 것이 중요합니다.
Publications
- y. Eisenberg, Y. 슬롯 나라 및 E. Prodan, LC 공진기를 사용한 Valley Chern Effect : 모듈 식 플랫폼, Phys. Applied, 11, 044077 (2019) (편집자 제안).
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- p. Stepanov, S. Che, D. Shcherbakov, J. Yang, K. Thilahar, G. Voigt, M. W. Bockrath, D. Smirnov, K. Watanabe, T. Taniguchi, R. K. Lake, Yafis 슬롯 나라, Allan H. MacDonald, Chun Ning Lau, Traphenum Hall hall hall hall antiferomern, 자연적 인 물리. 14, 967 (2018) (해당 저자).
교육
- Ph.D. 슬롯 나라, 2008, 텍사스 대학교 - 오스틴
- B.S. 수학, 2002, 휴스턴 슬롯 나라
- B.S. 슬롯 나라, 2002, 휴스턴 대학교