요약
과학 대학의 부교수로서의 역할에서 저는 Wise 및 Nevadateach를 포함한 학업 및 학생 프로그램 관리를 감독합니다. 저는 학부, 부서장 및 기타 대학 리더십과 긴밀히 협력하여 학부 및 슬롯 커뮤니티 커리큘럼 및 대학의 평가 노력을 지원하고 조정합니다.
연구 관심사
우리의 연구는 혈장 강화 슬롯 커뮤니티 증기 증착 (PECVD)과 같은 공정 동안 반도체 재료의 성장 메커니즘의 조사에 중점을두고 있습니다. 보다 신중하게 제어 된 조건에서 이러한 플라즈마를 모방하기 위해, 우리는 반응성 관심 종의 고열 빔과 단결정 반도체 웨이퍼를 사용합니다. 구체적으로, 우리는 1-100 eV 범위의 에너지를 갖는 질량-선택, 반응성 원자 또는 분자 이온의 가변 에너지 빔을 생성하고, 이것을 성장 종의 공급원으로 사용한다. 깨끗하고 잘 특성화 된 반도체 표면과의 이들 종의 상호 작용은 초고속 진공 환경에서 검사된다 (아래 그림). 질량 분석법은 탈착 및 산란 된 종의 동일성을 검사하고 표면에서 발생하는 반응에 대한 동역학 정보를 제공하는 데 사용됩니다. 저 에너지 전자 회절 및 오거 전자 분광법은 생성 된 표면의 결정도 및 조성을 조사하는데 사용된다. 이러한 실험의 결과는 반응성 이온 표면 상호 작용에 관여하는 메커니즘, 이러한 PECVD 프로세스 동안 매우 중요한 영역에 대한보다 완전한 이해를 허용합니다.
우리 그룹에 대한 특히 관심있는 시스템에는 GE/SI 또는 SIC/SI와 같은 격자 불균형 재료의 이종 에피 택시 성장이 포함됩니다. 이러한 시스템은 점점 기술적으로 중요 해지고 있습니다. 그러나, 재료의 성장 메커니즘은 아직 완전히 이해되지 않았다. 우리의 실험 결과는 이러한 재료의 성장과 관련된 많은 기본 이기종 반응에 대한 데이터를 제공 할 것입니다.
교육
- NRC-NIST 박사후 연구원 (1993-1995) 및 박사후 (1995-1997), Jila, Colorado University (Stephen R. Leone)
- Ph.D. (1993), 미네소타 대학교 (Doreen G. Leopold)
- B.S. (1988), 뉴욕 주립 대학교, 구매 대학
Publications
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